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CHINA Amorphes Silizium Sensor Flachbild-Detektor Leichtgewicht geeignet für hochenergetische Detektion 15MV

Amorphes Silizium Sensor Flachbild-Detektor Leichtgewicht geeignet für hochenergetische Detektion 15MV

MOQ: 1
Material amorphous silicon sensor
Temperature 10-35°C (operating)；-10~50°C (storage)
Humidity 30-70% RH (non-condensing)
Product name DR Digital Flat Panel Detector
Sensor Receptor Type a-Si
CHINA Amorphes Silizium Sensor Flachbild-Detektor Dynamische DR und nicht zerstörende Prüfung

Amorphes Silizium Sensor Flachbild-Detektor Dynamische DR und nicht zerstörende Prüfung

MOQ: 1
Material amorphous silicon sensor
Temperature 10-35°C (operating)；-10~50°C (storage)
Humidity 30-70% RH (non-condensing)
Product name DR Digital Flat Panel Detector
Sensor Receptor Type a-Si
CHINA Amorphes Silizium-basiertes Sensor für die Dentalbildgebung und industrielle Inspektion

Amorphes Silizium-basiertes Sensor für die Dentalbildgebung und industrielle Inspektion

MOQ: 1
Material amorphous silicon sensor
Temperature 10-35°C (operating)；-10~50°C (storage)
Humidity 30-70% RH (non-condensing)
Product name DR Digital Flat Panel Detector
Receptor Type IGZO
CHINA 100 Mikron amorphes Silizium A Si für verschiedene Bereiche wie DR und zerstörungsfreie Prüfungen

100 Mikron amorphes Silizium A Si für verschiedene Bereiche wie DR und zerstörungsfreie Prüfungen

MOQ: 1
Material amorphous silicon sensor
Temperature 10-35°C (operating)；-10~50°C (storage)
Humidity 30-70% RH (non-condensing)
Product name DR Digital Flat Panel Detector
Receptor Type a-Si
CHINA 139 Mikron amorphes Silizium A-Si gekrümmt A-Si DR Nichtzerstörungsversuch

139 Mikron amorphes Silizium A-Si gekrümmt A-Si DR Nichtzerstörungsversuch

MOQ: 1
Material mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Temperatur 10-35°C (Betrieb); 10~50°C (Lagerung)
Luftfeuchtigkeit 30 bis 70% RH (nicht kondensierend)
Produktbezeichnung DR Digitaler Flachbildmelder
Rezeptortyp EinSi
CHINA 75 Mikron amorphes Silizium A Si Für verschiedene Bereiche A Si DR Nichtzerstörungsversuche

75 Mikron amorphes Silizium A Si Für verschiedene Bereiche A Si DR Nichtzerstörungsversuche

MOQ: 1
Material mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Temperatur 10-35°C (Betrieb); 10~50°C (Lagerung)
Luftfeuchtigkeit 30 bis 70% RH (nicht kondensierend)
Produktbezeichnung DR Digitaler Flachbildmelder
Rezeptortyp EinSi
CHINA 139 Mikron amorphes Silizium A Si Für verschiedene Bereiche wie DR Nichtzerstörungstests

139 Mikron amorphes Silizium A Si Für verschiedene Bereiche wie DR Nichtzerstörungstests

MOQ: 1
Material mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Temperatur 10-35°C (Betrieb); 10~50°C (Lagerung)
Luftfeuchtigkeit 30 bis 70% RH (nicht kondensierend)
Produktbezeichnung DR Digitaler Flachbildmelder
Rezeptortyp EinSi
CHINA Sapphire Piezoelectric Crystal Optical Crystal-Halbleiter X Ray Crystal Orientation Indicator Instrument

Sapphire Piezoelectric Crystal Optical Crystal-Halbleiter X Ray Crystal Orientation Indicator Instrument

MOQ: 1pcs
Eingangsleistung Einphasiges AC220V、 50HZ、 0.5KW
Marke HUATEC
X-Strahlnrohr Kupfernes Ziel mit der erdenden Anode, KraftLuftkühlung
Röhrenspannung 30KVP, Schalter schloss unter voller Spannung
Röhrenstrom 0~5mA, ununterbrochenes justierbares
CHINA Einphasiges X Ray Instrument Crystal Orientation Indicator

Einphasiges X Ray Instrument Crystal Orientation Indicator

MOQ: 1pcs
Eingangsleistung Einphasiges AC220V、 50HZ、 0.5KW
Marke HUATEC
Kristallstangendurchmesser 6-8 Zoll Kristallstange
Kristallmaschenweite 150mm maximales 180mm
Impfung des Kristalldurchmessers ¢5-20
CHINA Brennspannungs-Kupfer-Ziel Crystal Orientation Indicators X Ray Instrument 30kvp mit Anode

Brennspannungs-Kupfer-Ziel Crystal Orientation Indicators X Ray Instrument 30kvp mit Anode

MOQ: 1pcs
Eingangsleistung Einphasiges AC220V、 50HZ、 0.3KW
Marke HUATEC
Röhrenspannung 30KVP, Schalter schloss unter voller Spannung
Röhrenstrom 0~5mA, ununterbrochenes justierbares
Digital-Anzeigen θ: Grad、 winziges、 an zweiter Stelle; Minimale Lesung von 10 ″
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