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139 Mikron amorphes Silizium A Si Für verschiedene Bereiche wie DR Nichtzerstörungstests

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MOQ
139 Mikron amorphes Silizium A Si Für verschiedene Bereiche wie DR Nichtzerstörungstests
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Eigenschaften
Technische Daten
Material: mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Temperatur: 10-35°C (Betrieb); 10~50°C (Lagerung)
Luftfeuchtigkeit: 30 bis 70% RH (nicht kondensierend)
Produktbezeichnung: DR Digitaler Flachbildmelder
Rezeptortyp: EinSi
Szintillator: Ausnahme:
Aktivbereich: 350 x 430 mm
Pixel Pitch: 139 μm
Hervorheben:

139 Mikron A Si

,

Amorphes Silizium A Si

,

DR A Si

Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: HUATEC
Zertifizierung: CE ISO GOST
Modellnummer: H3543HWC-EG
Zahlung und Versand AGB
Verpackung Informationen: Standardkartonpaket exportieren
Produkt-Beschreibung

139 Mikron amorphes Silizium A-Si für verschiedene Bereiche wie DR und zerstörungsfreie Prüfung

 

H3543HWC-EG ist ein leichter drahtloser Detektor auf Basis von amorphem Silizium ((a-Si), der für verschiedene Bereiche wie DR und zerstörungsfreie Prüfungen geeignet ist.

 

Sensor
Rezeptortyp a-Si

Scintillator Gos / CsI:TI

Aktivfläche 350 x 430 mm

Auflösung 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

 

Stromversorgung und Batterie

Adapter in Wechselstrom 100-240V,50-60Hz

Adapter aus DC 24V,2.7A

Leistungsausfall < 20 W

Standbyzeit 6,5 h

Aufladzeit 4,5 h

 

Bildqualität
Beschränkung der Auflösung 5 LP/mm

Energiebereich 40-160 KV

Dynamischer Bereich ≥ 76 dB

Empfindlichkeit ≥ 0,36 LSB/nGy

Ghos < 1% 1. Bild

DQE 38% @(1 LP/mm)

21% @(2 LP/mm)

MTF 75% @(1 LP/mm)

48% @(2 LP/mm)

28% @(3 LP/mm)

 

 

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